La solution d’analyse des semi-conducteurs GaN et SiC soigne sa précision

Associés à un oscilloscope numérique HDO, la nouvelle sonde et le nouveau logiciel de test de Teledyne LeCroy offrent la caractérisation électrique la plus précise du marché, selon le fabricant.

Pour répondre aux demandes d’alimentations plus petites et plus légères et de rendements plus élevés de la part des différents acteurs, les Mosfet et IGBT basés sur le silicium laissent leur place au nitrure de gallium (GaN), au carbure de silicium (SiC) et autres matériaux à large bande interdite (wide-bandgap ou WBG) pour construire les alimentations et les systèmes de conversion de puissance.

Ces nouvelles technologies se caractérisent par un temps de commutation dix fois plus rapide que ceux du silicium, ainsi que des dimensions et une masse également réduites. « Mais de nombreux ingénieurs mettent en œuvre des semi-conducteurs WBG pour la première fois, et ils ont besoin de plus de bande passante de mesure et d’une analyse plus précise de ces dispositifs semi-conducteurs », observe l’Américain Teledyne LeCroy.

Ce dernier vient ainsi d’annoncer le lancement de la sonde DL-ISO et du logiciel de test Power-Device, qui, « associés à un oscilloscope numérique haute définition de la série HDO, offrent la caractérisation électrique la plus précise du GaN et les semi-conducteurs de puissance en SiC », affirme le fabricant qui complète ainsi encore son offre de sondes.

La sonde isolée optiquement DL-ISO affiche une bande passante de 350 MHz, 700 MHz ou 1 GHz selon la version (DL03-ISO, DL07-ISO et DL10-ISO), une gamme de tension d’entrée différentielle de 2 à 2 500 V et un mode commun de ±60 kV, ainsi qu’un taux de rejet du mode commun (CMRR) de 160 dB et une sensibilité allant de 20-250 mV/division jusqu’à 2-25 V/division, selon le type de pointe.

Teledyne LeCroy met également l’accent sur une justesse de mesure système de 1,5 %, avec un oscilloscope HDO de résolution verticale de 12 bits et après calibration du gain de précision. Le temps de montée (10-90 %) est de seulement de 1,1 ns, 575 ps ou 435 ps pour respectivement les versions DL03-ISO, DL07-ISO et DL10-ISO.

Le nouveau logiciel Power-Device simplifie, quant à lui, notamment l’analyse des dispositifs GaN et SiC avec la perte de commutation automatisée Jedec et d’autres mesures. Des superpositions avec code couleur permettent de mettre en évidence les zones mesurées pertinentes.