La tête de test magnétique s’adapte à la production de masse de MRAM

Au cœur de l’équipement IBEX-WS de Hprobe, on trouve la nouvelle tête de test magnétique H3DM-XL conçue pour les matrices MRAM avec des cellules binaires.

« L’objectif de notre nouvelle tête de test H3DM-XL est de permettre à nos clients des semi-conducteurs de mettre en œuvre de nouveaux protocoles de test spécifiques dédiés au tri des wafers de MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), et de réussir la montée en puissance d’une fabrication à haut volume », explique Siamak Salimy, cofondateur et CTO de Hprobe.

Cette tête de test magnétique représente le cœur du nouvel équipement IBEX-WS (Wafer Short) du Français, qui se caractérise par des capacités de champ magnétique 3D et par une zone de champ et une uniformité accrues pour la mesure de grandes matrices MRAM. Le système dispose également d’une unité d’étalonnage de terrain (FCU) robotisée 3D brevetée pour la cartographie et la surveillance à grande vitesse.

Mais revenons à la tête de test H3DM-XL. Conçue pour les matrices MRAM avec des cellules binaires basées sur les technologies de couple de transfert de spin (Spin Transfer Torque ou STT-MRAM) et de couple d’orbite de spin (Spin-Orbit Torque ou SOT-MRAM), elle permet donc de sonder de grandes matrices MRAM (du mégaoctet au gigaoctet) sous un champ magnétique. Cela permet d’accélérer les tests de rétention par bit et de défaillances de bits non persistantes directement en production.

La tête de nouvelle génération, qui est complémentaire à celles disponibles pour le test d’acceptation de wafers (WAT), est conçue pour fonctionner avec la même cellule de test que celle utilisée pour les sondes logiques traditionnelles. Hprobe précise enfin que l’IBEX-WS est la seule alternative commerciale au test back-end traditionnel mis en œuvre dans les fabrications à haut volume pour répondre aux spécificités magnétiques de la technologie MRAM.